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NAND
03.
NAND MCP
NAND MCP
多芯片封装(MCP)是基于不同存储技术与工艺在同一基板上的设计统一,革命性的晶片堆叠技术能够优化电路板设计和节省空间。芯天下把不同存储技术产品,包括SLC NAND Flash和mobile DRAM的低功耗LPDDR2或LPDDR4X设计在一个基板上,这种高集成度的设计方式能够带来很多优势:
1. 提升存储性能和集成度通过把两个存储模块堆叠建立最短最稳固的连接;
2. 节约终端产品 30%-40%的PCB板设计面积相对于分离器件方案;
3. 减少BOM表的元件数量,降低采购,物流,运营和加工成本;
4. 加速产品开发进度进而缩短产品面市时间。

芯天下技术MCP产品线拥有丰富的存储配置组合,主要是基于2-die和3-die的堆叠封装。 其中最主流的组合为1Gb + 512Mb; 1Gb+1Gbit; 2Gb+1Gb; 2Gbit+2Gb; 4Gb+2Gb;
4Gb+4Gb (NAND和低功耗DRAM)。

无论您是想要降低功耗,留出更多的PCB板的空间,还是加快产品速度,芯天下的MCP产品能够满足您对不同应用的设计需求。我们高效、高性能的MCP将成为您的移动产品设计中不可或缺的设计元素。
1G512D2
1G1GD2
2G1GD2
2G2GD2
4G2GD2
4G4GD4X
型号 容量 电压 封装 描述 包装 状态 说明书
XT61M1G8B2TA-B8BEA 1G512D2 1.7~1.95V BGA 162 ball 1G NAND (8bit. ECC;x8)+512 LP DDR2 (x32) Tray QS 联系我们
型号 容量 电压 封装 描述 包装 状态 说明书
XT61M1G8C2TA-B8BEA 1G1GD2 1.7~1.95V BGA 162 ball 1G NAND (8bit. ECC;x8)+1G LP DDR2 (x32) Tray ES 联系我们
型号 容量 电压 封装 描述 包装 状态 说明书
XT61M2G8C2TA-B8BEA 2G1GD2 1.7~1.95V BGA 162 ball 2G NAND (8bit ECC;x8)+1G LP DDR2 (x32) Tray ES 联系我们
型号 容量 电压 封装 描述 包装 状态 说明书
XT61M2G8D6TA-B8BIA 2G2GD2 1.7~1.95V BGA 162 ball 2G NAND (8bit ECC;x8) +2G LP DDR2 (x16) Tray ES 联系我们
XT61M2G8D2TA-B8BEA 2G2GD2 1.7~1.95V BGA 162 ball 2G NAND (8bit ECC;x8) +2G LP DDR2 (x32) Tray MP 联系我们
XT61M2G8D2TA-B8BIA 2G2GD2 1.7~1.95V BGA 162 ball 2G NAND (8bit ECC;x8) +2G LP DDR2 (x32) Tray QS 联系我们
型号 容量 电压 封装 描述 包装 状态 说明书
XT61M4G8D2TA-B8BIA 4G2GD2 1.7~1.95V BGA 162 ball 4G NAND (8bit ECC;x8)+2G LP DDR2 (x32) Tray QS 联系我们
XT61M4G8D2TA-B8BEA 4G2GD2 1.7~1.95V BGA 162 ball 4G NAND (8bit ECC;x8) + 2G LP DDR2 (x32) Tray MP 联系我们
XT61M4G6D2TA-B8BEA 4G2GD2 1.7~1.95V BGA 162 ball 4G NAND (8bit ECC;x16) +2G LP DDR2 (x32) Tray MP 联系我们
型号 容量 电压 封装 描述 包装 状态 说明书
XT63M4G8E6TM-CBBEA 4G4GD4X 1.7~1.95V BGA149 8*9.5*0.8 4G NAND(8bit ECC;X8)+4GLP DDR4X (X16) Tray UD 联系我们
XTX所有产品均符合环保要求:无卤、RoHS2.0、REACH标准。
状态说明:UD=开发中,ES=工程样品,QS=完成考核,MP=量产。